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以材载道,科技前行;应用领域,尽显气体无限可能
行业应用
IMP
离子注入 IMP
离子注入是将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中,也是目前应用最广泛的主流掺杂工艺。
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GeF4
四氟化锗
高纯四氟化锗气体 纯度:4N以上
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  • 沸点:-28.66 °F@1atm
  • CAS号:7783-58-6
  • UN号:UN3304