English
中文
关于博纯
产品与应用
投资者关系
人才招募
企业社会责任
关闭
以材载道,科技前行;应用领域,尽显气体无限可能
产品中心
行业应用
工程技术服务
搜索
行业应用
Semi 半导体
LCD 液晶显示屏
LED 发光二极管
Solar 光伏
LCD 液晶显示屏
薄膜 TF
刻蚀 Etch
激光退火 LA
Etch
刻蚀 Etch
刻蚀技术主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀,其中干法刻蚀主要利用气体与等离子体进行刻蚀。等离子体刻蚀是将刻蚀气体电离产生带电离子、分子、电子及化学活性很强的原子(分子)团,此原子(分子)团扩散到被刻蚀膜层的表面,与待刻材料反应生成具有挥发性的反应物质,并被真空设备抽离排出。
相关产品
CL2
氯气
高纯氯气 纯度:5N5以上
相对分子质量:70.91 g/mol
沸点:-29.25 °F@1atm
CAS号:7782-50-5
UN号:UN1017
SF6
六氟化硫
高纯六氟化硫气体 纯度:5N以上
相对分子质量:146.1 g/mol
沸点:-83.02 °F@1atm
CAS号:2551-62-4
UN号:UN1080
CF4
四氟化碳
高纯四氟化碳气体 纯度:5N以上
相对分子质量:88 g/mol
沸点:-198.5 °F@1atm
CAS号:75-73-0
UN号:UN1982
HCL
氯化氢
高纯氯化氢气体 纯度:6N以上
相对分子质量:36.46 g/mol
沸点:-121 °F@1atm
CAS号:7647-01-0
UN号:UN1050